STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
Uniaxial cold pressing was used to fabricate GaAs0,9Bi0,1 targets with 10% Bi content. Thin films of GaAs1-x-yNxBiy onto a GaAs (100) substrate were obtained from the formed GaAs0,9Bi0,1 target by pulsed laser deposition in an argon-nitrogen gas atmosphere, and their structure and composition were s...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Język: | Russian |
| Wydane: |
2023
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/23459 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|