Перейти до змісту

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION

Uniaxial cold pressing was used to fabricate GaAs0,9Bi0,1 targets with 10% Bi content. Thin films of GaAs1-x-yNxBiy onto a GaAs (100) substrate were obtained from the formed GaAs0,9Bi0,1 target by pulsed laser deposition in an argon-nitrogen gas atmosphere, and their structure and composition were s...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автори: Devitsky, O. V., Девицкий, О. В.
Формат: Статья
Мова:Russian
Опубліковано: 2023
Предмети:
Онлайн доступ:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/23459
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!