Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
Thin films of GaAs1 - x - y NxBiy were deposited on a GaAs (100) substrate by pulsed laser deposition using an argon-nitrogen gas mixture at a pressure ranging from 1 to 60 Pa. The film thickness is found to decrease from 527 to 127 nm as the pressure of the argon-nitrogen gas mixture increased from...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Статья |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2024
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/26523 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|