Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
Thin films of GaAs1 - x - y NxBiy were deposited on a GaAs (100) substrate by pulsed laser deposition using an argon-nitrogen gas mixture at a pressure ranging from 1 to 60 Pa. The film thickness is found to decrease from 527 to 127 nm as the pressure of the argon-nitrogen gas mixture increased from...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Статья |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
2024
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/26523 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|