Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
Thin films of GaAs1 - x - y NxBiy were deposited on a GaAs (100) substrate by pulsed laser deposition using an argon-nitrogen gas mixture at a pressure ranging from 1 to 60 Pa. The film thickness is found to decrease from 527 to 127 nm as the pressure of the argon-nitrogen gas mixture increased from...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Język: | English |
| Wydane: |
2024
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/26523 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|