Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
Thin films of GaAs1 - x - y NxBiy were deposited on a GaAs (100) substrate by pulsed laser deposition using an argon-nitrogen gas mixture at a pressure ranging from 1 to 60 Pa. The film thickness is found to decrease from 527 to 127 nm as the pressure of the argon-nitrogen gas mixture increased from...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Статья |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/26523 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|