Growing c-axis oriented aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
The possibility of using plasma enhanced atomic layer deposition method for growing heteroepitaxial oriented AlN films on Si (100) and sapphire (001) substrates at temperatures less than 300 °C was investigated. The resulting samples were studied by X-ray diffraction analysis and ellipsometry. It ha...
Збережено в:
Автори: | Tarala, V. A., Тарала, В. А., Ambartsumov, M. G., Амбарцумов, М. Г., Altakhov, A. S., Алтахов, А. С., Martens, V. Y., Мартенс, В. Я., Shevchenko, M. Y., Шевченко, М. Ю. |
---|---|
Формат: | Статья |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Elsevier B.V.
2018
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85008690050&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&nlo=&nlr=&nls=&sid=2d4e826478140d99650a215e37019390&sot=aff&sdt=cl&cluster=scopubyr%2c%222016%22%2ct&sl=174&s=AF-ID%28%22North+Caucasus+Federal+University%22+60070541%29+OR+AF-ID%28%22Stavropol+State+University%22+60070961%29+OR+AF-ID%28%22stavropolskij+Gosudarstvennyj+Tehniceskij+Universitet%22+60026323%29&relpos=4&citeCnt=3&searchTerm= https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/3166 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
-
Growth of aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Growth of heteroepitaxial aluminium nitride films on aluminium oxide substrates via PEALD method
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Growth of heteroepitaxial aluminium nitride films on aluminium oxide substrates via PEALD method
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Growing aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
The dependence of aluminum nitride thin-film microstructure on the number of low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition process cycles
за авторством: Ambartsumov, M. G., та інші
Опубліковано: (2019)