Пропуск в контексте

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates

The possibility of growing arrays of InxGa1-xAs nanocrystals on GaAs substrates by ion-beam deposition is experimentally shown. The influence of the ion energy, current density, and deposition time of sputtered materials on the height, lateral size, and density of arrays of InxGa1-xAs nanocrystals i...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Главные авторы: Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Gusev, D. A., Гусев, Д. А.
פורמט: Статья
שפה:English
יצא לאור: PLEIADES PUBLISHING INC 2019
נושאים:
גישה מקוונת:http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=7&SID=E471anh4cEh9AHVwVNL&page=1&doc=1
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/6920
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!