Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур учебно-методическое пособие
Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кр...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Москва
НИЯУ МИФИ
2018
|
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/126681 https://e.lanbook.com/img/cover/book/126681.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03547nam0a2200313 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 126681 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20221220174034.0 | ||
| 008 | 221220s2018 ru gs 000 0 rus | ||
| 020 | |a 978-5-7262-2422-0 | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 539.216.2: 621.315.592 | ||
| 084 | |a 22.379 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур |b учебно-методическое пособие |c Кузнецов Г. Д.,Сафаралиев Г. К.,Стриханов М. Н.,Каргин Н. И.,Харламов Н. А. |
| 260 | |a Москва |b НИЯУ МИФИ |c 2018 | ||
| 300 | |a 148 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники. | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки | |
| 100 | 1 | |a Кузнецов Г. Д. | |
| 700 | 1 | |a Сафаралиев Г. К. | |
| 700 | 1 | |a Стриханов М. Н. | |
| 700 | 1 | |a Каргин Н. И. | |
| 700 | 1 | |a Харламов Н. А. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/126681 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/126681.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/126681.jpg | ||