Пропуск в контексте

Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы

Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Нижний Новгород ННГУ им. Н. И. Лобачевского 1999
Online-ссылка:https://e.lanbook.com/book/153072
https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 01931nam0a2200217 i 4500
001 153072
003 RuSpLAN
005 20221220174104.0
008 221220s1999 ru gs 000 0 rus
040 |a RuSpLAN 
041 0 |a rus 
044 |a ru 
245 0 0 |a Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений  |b описание лабораторной работы 
260 |a Нижний Новгород  |b ННГУ им. Н. И. Лобачевского  |c 1999 
300 |a 16 с. 
504 |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань 
520 8 |a Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении практических навыков работы с технологическим оборудованием и полупроводниковыми материалами. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ. 
521 8 |a Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Химия 
856 4 |u https://e.lanbook.com/book/153072 
856 4 8 |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg 
953 |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg