Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении...
Сохранить в:
| Формат: | Книга |
|---|---|
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
1999
|
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/153072 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
