Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении...
Đã lưu trong:
| Định dạng: | Книга |
|---|---|
| Ngôn ngữ: | Russian |
| Được phát hành: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
1999
|
| Truy cập trực tuyến: | https://e.lanbook.com/book/153072 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|