Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Sábháilte in:
| Formáid: | Книга |
|---|---|
| Teanga: | Russian |
| Foilsithe / Cruthaithe: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2001
|
| Rochtain ar líne: | https://e.lanbook.com/book/153076 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153076.jpg |
| Clibeanna: |
Cuir clib leis
Níl clibeanna ann, Bí ar an gcéad duine le clib a chur leis an taifead seo!
|
Míreanna comhchosúla
-
Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
de réir: Волкова Н. С.
Foilsithe / Cruthaithe: (2022) -
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
de réir: Тихов С. В.
Foilsithe / Cruthaithe: (2010) -
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур монография
de réir: Ковалев, А. Н. -
Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
de réir: Pashchenko, A. S., et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (2022) - Выращивание кристаллов. Выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления лабораторный практикум