Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Сохранить в:
| Формат: | Книга |
|---|---|
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2001
|
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/153076 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153076.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Схожие документы
-
Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
Автор: Волкова Н. С.
Опубликовано: (2022) -
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
Автор: Тихов С. В.
Опубликовано: (2010) -
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур монография
Автор: Ковалев, А. Н. -
Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
Автор: Pashchenko, A. S., и др.
Опубликовано: (2022) - Выращивание кристаллов. Выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления лабораторный практикум