Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено о...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2013
|
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/153364 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153364.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Краткое описание: | Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено описание вакуумных методов, в том числе, метода электронно-лучевого испарения. Предложено выполнение практической работы по формированию и исследованию диода Шоттки. Для студентов старших курсов, специализирующихся по направлению 210600 «Нанотехнология», студентов магистратуры и аспирантов, слушающих курсы в области наноэлектроники и ведущих исследования в соответствующей области. |
|---|---|
| Объем: | 75 с. |
| Аудитория: | Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика |
| Библиография: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |