Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено о...
Tallennettuna:
| Päätekijä: | Дорохин М. В. |
|---|---|
| Muut tekijät: | Здоровейщев А. В. |
| Aineistotyyppi: | Книга |
| Kieli: | Russian |
| Julkaistu: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2013
|
| Linkit: | https://e.lanbook.com/book/153364 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153364.jpg |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Samankaltaisia teoksia
-
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
Tekijä: Тихов С. В.
Julkaistu: (2010) -
Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
Tekijä: Pashchenko, A. S., et al.
Julkaistu: (2022) -
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Tekijä: Тяжлов В. С.
Julkaistu: (2019) -
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Tekijä: Тяжлов, В. С. -
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Julkaistu: (2001)