Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено о...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | Дорохин М. В. |
|---|---|
| Další autoři: | Здоровейщев А. В. |
| Médium: | Книга |
| Jazyk: | Russian |
| Vydáno: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2013
|
| On-line přístup: | https://e.lanbook.com/book/153364 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153364.jpg |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky
-
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
Autor: Тихов С. В.
Vydáno: (2010) -
Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
Autor: Pashchenko, A. S., a další
Vydáno: (2022) -
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Autor: Тяжлов В. С.
Vydáno: (2019) -
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Autor: Тяжлов, В. С. -
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Vydáno: (2001)