Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено о...
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Інші автори: | |
| Формат: | Книга |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
2013
|
| Онлайн доступ: | https://e.lanbook.com/book/153364 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153364.jpg |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|