Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография
В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV . Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединени...
Сохранить в:
| Hovedforfatter: | |
|---|---|
| Andre forfattere: | |
| Format: | Книга |
| Sprog: | Russian |
| Udgivet: |
Ставрополь
СКФУ
2015
|
| Online adgang: | https://e.lanbook.com/book/155169 https://e.lanbook.com/img/cover/book/155169.jpg |
| Tags: |
Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
|
| Summary: | В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV . Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV . Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, асптирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой. |
|---|---|
| Fysisk beskrivelse: | 97 с. |
| Publikum: | Книга из коллекции СКФУ - Физика |
| Bibliografi: | Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань |
| ISBN: | 978-5-9296-0785-1 |