Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография
В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV . Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединени...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Ставрополь
СКФУ
2015
|
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/155169 https://e.lanbook.com/img/cover/book/155169.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 02590nam0a2200277 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 155169 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20221220174107.0 | ||
| 008 | 221220s2015 ru gs 000 0 rus | ||
| 020 | |a 978-5-9296-0785-1 | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 539.21 | ||
| 084 | |a 22.36 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону |b монография |c Сысоев И. А.,Лунин Л. С. |
| 260 | |a Ставрополь |b СКФУ |c 2015 | ||
| 300 | |a 97 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV . Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV . Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, асптирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой. | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции СКФУ - Физика | |
| 100 | 1 | |a Сысоев И. А. | |
| 700 | 1 | |a Лунин Л. С. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/155169 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/155169.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/155169.jpg | ||