Пропуск в контексте

Твердотельная электроника. Ч.2 Учебное пособие Ч. 2 Твердотельная электроника. Ч.2

Рассмотрены физика работы биполярных, полевых и IGBT транзисторов, их характеристики, функциональные возможности. Предназначено для студентов дневного отделения направления 654100 "Электроника и микроэлектроника"....

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Базылев В. К.
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Рязань РГРТУ 2011
Online-ссылка:https://e.lanbook.com/book/168201
https://e.lanbook.com/img/cover/book/168201.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 01350nam0a2200241 i 4500
001 168201
003 RuSpLAN
005 20221220174120.0
008 221220s2011 ru gs 000 0 rus
040 |a RuSpLAN 
041 0 |a rus 
044 |a ru 
080 |a 621. 382 
245 1 |a Твердотельная электроника. Ч.2  |b Учебное пособие  |c Базылев В. К.   |n Ч. 2  |p Твердотельная электроника. Ч.2 
260 |a Рязань  |b РГРТУ  |c 2011 
300 |a 104 с. 
504 |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань 
520 8 |a Рассмотрены физика работы биполярных, полевых и IGBT транзисторов, их характеристики, функциональные возможности. Предназначено для студентов дневного отделения направления 654100 "Электроника и микроэлектроника". 
521 8 |a Книга из коллекции РГРТУ - Инженерно-технические науки 
100 1 |a Базылев В. К. 
856 4 |u https://e.lanbook.com/book/168201 
856 4 8 |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/168201.jpg 
953 |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/168201.jpg