Полупроводниковые термоэлектрические энергоэффективные устройства
В монографии изложены основные принципы построения и анализ работы термоэлектрических полупроводниковых устройств и интенсификаторов теплопередачи, а также изложены основные принципы применения светоизлучающих полупроводниковых p-n-переходов, отводящих энергию в окружающее пространство в виде электр...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Санкт-Петербург
Лань
2021
|
| Редакция: | 2-е изд., стер. |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/180820 https://e.lanbook.com/img/cover/book/180820.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03929nam0a2200349 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 180820 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20221220174134.0 | ||
| 008 | 221220s2021 ru gs 000 0 rus | ||
| 020 | |a 978-5-8114-8775-2 | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 32.85я73 | ||
| 084 | |a 621.315.592 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Полупроводниковые термоэлектрические энергоэффективные устройства |c Исмаилов Т. А.,Гаджиев Х. М. |
| 250 | |a 2-е изд., стер. | ||
| 260 | |a Санкт-Петербург |b Лань |c 2021 | ||
| 300 | |a 124 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a В монографии изложены основные принципы построения и анализ работы термоэлектрических полупроводниковых устройств и интенсификаторов теплопередачи, а также изложены основные принципы применения светоизлучающих полупроводниковых p-n-переходов, отводящих энергию в окружающее пространство в виде электромагнитного излучения. Новый тип термоэлектрических полупроводниковых приборов обладает большим быстродействием, энергоэффективностью, мощностью и надежностью за счет уменьшения доли паразитных тепловыделений, снижения величины резистивного сопротивления и рекуперации части электромагнитного излучения. Перспективным направлением является достижение глубокого охлаждения до уровня абсолютного нуля по Кельвину с целью создания сверхпроводящих криотронных микроэлектронных устройств. Для инженеров и научных сотрудников, занимающихся проблемой охлаждения компонентов микроэлектронной аппаратуры, а также для специалистов, занимающихся термоэлектрическим приборостроением. Монография может быть полезной для студентов вузов направлений подготовки бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», «Приборостроение» и аспирантов направлений подготовки «Электро- и теплотехника», «Электроника, радиотехника и системы связи», «Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии». | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки | |
| 653 | 0 | |a полупроводниковые устройства | |
| 653 | 0 | |a микроэлектронные устройства | |
| 653 | 0 | |a микроэлектроника | |
| 653 | 0 | |a термоэлектрическое приборостроение | |
| 653 | 0 | |a криотронные устройства | |
| 100 | 1 | |a Исмаилов Т. А. | |
| 700 | 1 | |a Гаджиев Х. М. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/180820 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/180820.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/180820.jpg | ||