Физика полупроводников
В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, ди...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Санкт-Петербург
Лань
2022
|
| Редакция: | 4-е изд., стер. |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/210524 https://e.lanbook.com/img/cover/book/210524.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 05524nam0a2201213 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 210524 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20221220174147.0 | ||
| 008 | 221220s2022 ru gs 000 0 rus | ||
| 020 | |a 978-5-8114-0922-8 | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 621.315.592(075) | ||
| 084 | |a 22.379я73 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Физика полупроводников |c Шалимова К. В. |
| 250 | |a 4-е изд., стер. | ||
| 260 | |a Санкт-Петербург |b Лань |c 2022 | ||
| 300 | |a 384 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам. | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции Лань - Физика | |
| 653 | 0 | |a высшее образование | |
| 653 | 0 | |a полупроводники | |
| 653 | 0 | |a физика полупроводников | |
| 653 | 0 | |a учебники | |
| 653 | 0 | |a учебные издания | |
| 653 | 0 | |a атом | |
| 653 | 0 | |a бриллюэн | |
| 653 | 0 | |a бриллюэна зоны | |
| 653 | 0 | |a ганна | |
| 653 | 0 | |a ганна эффект | |
| 653 | 0 | |a генерация | |
| 653 | 0 | |a гетеропереход | |
| 653 | 0 | |a дембера эффект | |
| 653 | 0 | |a диод | |
| 653 | 0 | |a диод туннельный | |
| 653 | 0 | |a диффузия | |
| 653 | 0 | |a диффузия (исследования) | |
| 653 | 0 | |a дрейф | |
| 653 | 0 | |a дырка | |
| 653 | 0 | |a заряд | |
| 653 | 0 | |a зонная | |
| 653 | 0 | |a зонная теория полупроводников | |
| 653 | 0 | |a излучение | |
| 653 | 0 | |a ионизация | |
| 653 | 0 | |a ионизация ударная | |
| 653 | 0 | |a квазиимпульс | |
| 653 | 0 | |a колебание | |
| 653 | 0 | |a колебания атомов кристаллической решетки | |
| 653 | 0 | |a контакт | |
| 653 | 0 | |a кристаллическая | |
| 653 | 0 | |a люминесценция | |
| 653 | 0 | |a люминесценция полупроводников | |
| 653 | 0 | |a носитель | |
| 653 | 0 | |a отражение | |
| 653 | 0 | |a поглощение | |
| 653 | 0 | |a полупроводник некристаллический | |
| 653 | 0 | |a полупроводниковая электроника | |
| 653 | 0 | |a примесные | |
| 653 | 0 | |a примесный | |
| 653 | 0 | |a рассеяние электронов | |
| 653 | 0 | |a резонанс | |
| 653 | 0 | |a резонанс циклотронный | |
| 653 | 0 | |a рекомбинация | |
| 653 | 0 | |a рекомбинация электронов | |
| 653 | 0 | |a релаксация | |
| 653 | 0 | |a решетка | |
| 653 | 0 | |a решетки кристаллические (физика) | |
| 653 | 0 | |a спектр | |
| 653 | 0 | |a теория | |
| 653 | 0 | |a теория колебаний | |
| 653 | 0 | |a теория электропроводности | |
| 653 | 0 | |a теплоемкость кристаллической решетки | |
| 653 | 0 | |a ток | |
| 653 | 0 | |a туннельный | |
| 653 | 0 | |a ударная | |
| 653 | 0 | |a ударная ионизация | |
| 653 | 0 | |a уровень | |
| 653 | 0 | |a учебник и пособие | |
| 653 | 0 | |a физика полупроводников (основы) | |
| 653 | 0 | |a фонон | |
| 653 | 0 | |a фотопроводимость | |
| 653 | 0 | |a фотоэлектроника | |
| 653 | 0 | |a фотоэффект | |
| 653 | 0 | |a холла | |
| 653 | 0 | |a холла эффект | |
| 653 | 0 | |a циклотронный | |
| 653 | 0 | |a шоттки | |
| 653 | 0 | |a шредингера | |
| 653 | 0 | |a шредингера уравнение | |
| 653 | 0 | |a экситонный | |
| 653 | 0 | |a электрон | |
| 653 | 0 | |a электроны | |
| 653 | 0 | |a электропроводность | |
| 653 | 0 | |a электропроводность (измерения) | |
| 653 | 0 | |a электропроводность полупроводников | |
| 653 | 0 | |a эффект | |
| 653 | 0 | |a эффект магниторезистивный | |
| 653 | 0 | |a эффект туннельный | |
| 100 | 1 | |a Шалимова К. В. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/210524 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/210524.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/210524.jpg | ||