Пропуск в контексте

Микросхемотехника и наноэлектроника

Изложены физические основы полупроводниковых электронных приборов. Рассмотрены основные типы радиокомпонентов, элементы и узлы аналоговых и цифровых микроэлектронных устройств и систем, интегральные схемы высоких степеней интеграции. Показана целесообразность и возможности перехода от классической э...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Игнатов А. Н.
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Санкт-Петербург Лань 2022
Темы:
Online-ссылка:https://e.lanbook.com/book/210695
https://e.lanbook.com/img/cover/book/210695.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
Описание
Краткое описание:Изложены физические основы полупроводниковых электронных приборов. Рассмотрены основные типы радиокомпонентов, элементы и узлы аналоговых и цифровых микроэлектронных устройств и систем, интегральные схемы высоких степеней интеграции. Показана целесообразность и возможности перехода от классической электроники к наноэлектронике. Проанализированы физические и технологические основы наноэлектроники, особенности наноэлектронных транзисторов, фотоприемников и лазеров, приборов на основе углеродных нанотрубок. Издание предназначено для бакалавров по направлениям подготовки «Электроника и наноэлектроника» и «Радиотехника». Также может быть полезно инженерно-техническим работникам, занимающимся проектированием и эксплуатацией электронной аппаратуры с использованием микроэлектронной и наноэлектронной элементных баз.
Примечание:Рекомендовано УМО по образованию в области телекоммуникаций в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки дипломированных специалистов 210400 — «Телекоммуникации».
Объем:528 с.
Аудитория:Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
Библиография:Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань
ISBN:978-5-8114-1161-0