Квантово-механические модельные расчёты электронной структуры и оптических спектров сложных полупроводниковых материалов монография
Изложены результаты расчётов электронно-энергетической структуры ряда соединений, обладающих так называемой «изотропной» точкой, а также основных оптических характеристик этих кристаллов, которые можно получить на основе расчёта тензора диэлектрической проницаемости . Квантово-механические...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | , , |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Ростов-на-Дону
Донской ГТУ
2017
|
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/238289 https://e.lanbook.com/img/cover/book/238289.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03408nam0a2200289 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 238289 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20221220174156.0 | ||
| 008 | 221220s2017 ru gs 000 0 rus | ||
| 020 | |a 978-5-7890-1240-6 | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 539.2 | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Квантово-механические модельные расчёты электронной структуры и оптических спектров сложных полупроводниковых материалов |b монография |c Лаврентьев А. А.,Габрельян Б. В.,Кулагин Б. Б.,Ву В. Т. |
| 260 | |a Ростов-на-Дону |b Донской ГТУ |c 2017 | ||
| 300 | |a 252 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a Изложены результаты расчётов электронно-энергетической структуры ряда соединений, обладающих так называемой «изотропной» точкой, а также основных оптических характеристик этих кристаллов, которые можно получить на основе расчёта тензора диэлектрической проницаемости . Квантово-механические расчёты проводились с использованием полнопотенциального метода с линеаризованным базисом присоединённых плоских волн (FLAPW) в рамках теории функционала плотности (DFT), реализованного в современном, получившем мировое призвание коде WIEN2k. Сделан подробный литературный обзор расчётов мнимой части диэлектрической проницаемости в рамках приближения основного состояния (GS). Основное внимание уделено в оригинальной части монографии собственным расчётам 2 и других оптических характеристик, сделано сравнение с имеющимся экспериментом из литературы. Показано, что приближение GS вполне адекватно описывает оптические характеристики. Предназначено для научных работников, преподавателей и аспирантов, работающих в области полупроводникового материаловедения с использованием модельных квантово-механических расчётов. | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции Донской ГТУ - Инженерно-технические науки | |
| 100 | 1 | |a Лаврентьев А. А. | |
| 700 | 1 | |a Габрельян Б. В. | |
| 700 | 1 | |a Кулагин Б. Б. | |
| 700 | 1 | |a Ву В. Т. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/238289 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/238289.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/238289.jpg | ||