Пропуск в контексте

Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур

Современные нанотехнологии давно нашли свое применение в области создания лазерных и светодиодных структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники. Одним из наиболее ярких примеров их использования является развитие микропроцессорной техники, где произошло умень...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Букатин А. С.
Другие авторы: Мухин М. С., Мухин И. С.
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Санкт-Петербург СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова 2021
Online-ссылка:https://e.lanbook.com/book/250505
https://e.lanbook.com/img/cover/book/250505.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
Описание
Краткое описание:Современные нанотехнологии давно нашли свое применение в области создания лазерных и светодиодных структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники. Одним из наиболее ярких примеров их использования является развитие микропроцессорной техники, где произошло уменьшение ширины затворов транзисторов с единиц микрометров до нескольких десятков нанометров. Это привело к значительному увеличению их быстродействия, увеличению плотности расположения в интегральной схеме и к снижению энергопотребления. Для создания функциональных наноструктур нового поколения требуется дальнейшее развитие постростовых методов на основе новых технологий, новых материалов и подходов, а также подготовки высококвалифицированных специалистов в этой области. В пособии рассматриваются наиболее распространенные методы создания микро- и наноструктур с упором на применение в области микро- и наноэлектроники, в том числе в привязке к современным транзисторным структурам. Отдельное внимание уделено различным методам оптической литографии, а также факторам, влияющим на ее пространственное разрешение. Выявлены области применения и рассмотрены фундаментальное ограничения фотолитографии при создании наноструктур в условиях исследовательской лаборатории. Представлено детальное обсуждение, анализ возможностей и ограничений электронной литографии, используемой для создания наноструктур с пространственным разрешением менее 10 нм, в том числе на непроводящих подложках. Последняя глава посвящена обзору физико-технических основ и приборной реализации методов газофазного осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев. Представленное пособие является методическим материалом, предназначенным бакалаврам старших курсов и магистрам, проходящим обучение по таким направлениям и профилям, как: «Физика и техника полупроводников», «Физическая электроника», «Физические принципы аналитического приборостроения», «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур», «Радиофизика и электроника», «Физическая оптика и квантовая электроника» и др.
Объем:64 с.
Аудитория:Книга из коллекции СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова - Нанотехнологии
Библиография:Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань
ISBN:978-5-91155-110-0