Пропуск в контексте

Полупроводниковые приборы учебное пособие для вузов

В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназна...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Пасынков В. В.
Другие авторы: Чиркин Л. К.
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Санкт-Петербург Лань 2023
Редакция:11-е изд., стер.
Темы:
Online-ссылка:https://e.lanbook.com/book/284045
https://e.lanbook.com/img/cover/book/284045.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 03781nam0a2200601 i 4500
001 284045
003 RuSpLAN
005 20221220174213.0
008 221220s2023 ru gs 000 0 rus
020 |a 978-5-507-45795-3 
040 |a RuSpLAN 
041 0 |a rus 
044 |a ru 
080 |a 621.315.592 
084 |a 32.852я73  |2 rubbk 
245 0 0 |a Полупроводниковые приборы  |b учебное пособие для вузов  |c Пасынков В. В.,Чиркин Л. К. 
250 |a 11-е изд., стер. 
260 |a Санкт-Петербург  |b Лань  |c 2023 
300 |a 480 с. 
500 |a Допущено Министерством образования Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров «Электроника и микроэлектроника» и по направлению подготовки дипломированных специалистов «Электроника и микроэлектроника» 
504 |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань 
520 8 |a В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению «Электроника и микроэлектроника». 
521 8 |a Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки 
653 0 |a полупроводники 
653 0 |a полупроводниковые приборы 
653 0 |a микросхемы 
653 0 |a микроэлектроника 
653 0 |a физика 
653 0 |a контактные явления 
653 0 |a диоды 
653 0 |a пробой 
653 0 |a биполярные транзисторы 
653 0 |a транзисторы 
653 0 |a тиристоры 
653 0 |a полевые транзисторы 
653 0 |a приборы с зарядовой связью 
653 0 |a интегральные микросхемы 
653 0 |a электроны 
653 0 |a междолинный переход 
653 0 |a оптоэлектронные приборы 
653 0 |a фоторезисторы 
653 0 |a лазеры 
653 0 |a фотодиоды 
653 0 |a терморезисторы 
653 0 |a варисторы 
653 0 |a аморфные полупроводники 
653 0 |a термоэлектрические устройства 
653 0 |a гальванометрические приборы 
100 1 |a Пасынков В. В. 
700 1 |a Чиркин Л. К. 
856 4 |u https://e.lanbook.com/book/284045 
856 4 8 |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/284045.jpg 
953 |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/284045.jpg