Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
Рассмотрены основные процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов. Приводятся методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Санкт-Петербург
Лань
2023
|
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/302354 https://e.lanbook.com/img/cover/book/302354.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 02990nam0a2200505 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 302354 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20230130154320.0 | ||
| 008 | 230130s2023 ru gs 000 0 rus | ||
| 020 | |a 978-5-507-45479-2 | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 621.3.049.77(07)+621.315.592(07) | ||
| 084 | |a 32.844я73 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу |b учебник для вузов |c Александрова О. А.,Лебедев А. О.,Мараева Е. В. |
| 260 | |a Санкт-Петербург |b Лань |c 2023 | ||
| 300 | |a 172 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a Рассмотрены основные процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов. Приводятся методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные данные, необходимые для проведения расчетов. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки | |
| 653 | 0 | |a электроника | |
| 653 | 0 | |a микроэлектроника | |
| 653 | 0 | |a монокристаллы | |
| 653 | 0 | |a полупроводники | |
| 653 | 0 | |a легирование | |
| 653 | 0 | |a технология | |
| 653 | 0 | |a кремний | |
| 653 | 0 | |a германий | |
| 653 | 0 | |a карбид кремния | |
| 653 | 0 | |a арсенид галлия | |
| 653 | 0 | |a фосфид индия | |
| 653 | 0 | |a нитрид алюминия | |
| 653 | 0 | |a метод Чохральского | |
| 653 | 0 | |a зонная плавка | |
| 653 | 0 | |a легированные кристаллы | |
| 653 | 0 | |a подпитка из жидкой фазы | |
| 653 | 0 | |a метод плавающего тигля | |
| 653 | 0 | |a синтез | |
| 100 | 1 | |a Александрова О. А. | |
| 700 | 1 | |a Лебедев А. О. | |
| 700 | 1 | |a Мараева Е. В. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/302354 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/302354.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/302354.jpg | ||