Пропуск в контексте

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности з...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Александрова О. А.
Другие авторы: Лебедев А. О., Мараева Е. В.
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Санкт-Петербург Лань 2023
Темы:
Online-ссылка:https://e.lanbook.com/book/302363
https://e.lanbook.com/img/cover/book/302363.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
Описание
Краткое описание:Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
Объем:216 с.
Аудитория:Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
Библиография:Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань
ISBN:978-5-507-45481-5