Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности з...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Санкт-Петербург
Лань
2023
|
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/302363 https://e.lanbook.com/img/cover/book/302363.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 04175nam0a2200517 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 302363 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20230130154517.0 | ||
| 008 | 230130s2023 ru gs 000 0 rus | ||
| 020 | |a 978-5-507-45481-5 | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 621.3.049.77.002.3(07) | ||
| 084 | |a 32.844я73 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост |b учебник для вузов |c Александрова О. А.,Лебедев А. О.,Мараева Е. В. |
| 260 | |a Санкт-Петербург |b Лань |c 2023 | ||
| 300 | |a 216 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий. | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки | |
| 653 | 0 | |a электроника | |
| 653 | 0 | |a микроэлектроника | |
| 653 | 0 | |a монокристаллы | |
| 653 | 0 | |a полупроводники | |
| 653 | 0 | |a легирование | |
| 653 | 0 | |a технология | |
| 653 | 0 | |a эпитаксиальные технологии | |
| 653 | 0 | |a эпитаксия | |
| 653 | 0 | |a эпитаксиальный рост | |
| 653 | 0 | |a эпитаксиальные подложки | |
| 653 | 0 | |a зародышеобразование | |
| 653 | 0 | |a гетерогенные системы | |
| 653 | 0 | |a бикристаллография | |
| 653 | 0 | |a кристалл | |
| 653 | 0 | |a метрическое несоответствие | |
| 653 | 0 | |a симметрийное несоответствие | |
| 653 | 0 | |a вакуумные методы | |
| 653 | 0 | |a методы ионного распыления | |
| 653 | 0 | |a молекулярно-пучковая эпитаксия | |
| 100 | 1 | |a Александрова О. А. | |
| 700 | 1 | |a Лебедев А. О. | |
| 700 | 1 | |a Мараева Е. В. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/302363 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/302363.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/302363.jpg | ||