Технология материалов электронной техники учебник для спо
Рассмотрены основные методы получения чистых и особо чистых материалов, используемых в технике и современной электронике. Освещены процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов, основные виды эпитаксиальных технологий. Соответствует современным требованиям ФГОС СПО и пр...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Санкт-Петербург
Лань
2023
|
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/356039 https://e.lanbook.com/img/cover/book/356039.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03403nam0a2200637 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 356039 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20240216150947.0 | ||
| 008 | 240216s2023 ru gs 000 0 rus | ||
| 020 | |a 978-5-507-47888-0 | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 621 | ||
| 084 | |a 32.85я723 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Технология материалов электронной техники |b учебник для спо |c Александрова О. А.,Лебедев А. О.,Мараева Е. В. |
| 260 | |a Санкт-Петербург |b Лань |c 2023 | ||
| 300 | |a 536 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a Рассмотрены основные методы получения чистых и особо чистых материалов, используемых в технике и современной электронике. Освещены процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов, основные виды эпитаксиальных технологий. Соответствует современным требованиям ФГОС СПО и профессиональным квалификационным требованиям. Предназначен для студентов ссузов, обучающихся по специальностям, связанным с технологией получения материалов и создания элементов твердотельной электроники. | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки | |
| 653 | 0 | |a электроника | |
| 653 | 0 | |a твердотельная электроника | |
| 653 | 0 | |a методы разделения | |
| 653 | 0 | |a методы очистки | |
| 653 | 0 | |a деионизованная вода | |
| 653 | 0 | |a полупроводник | |
| 653 | 0 | |a проводниковые свойства | |
| 653 | 0 | |a монокристалл | |
| 653 | 0 | |a кремний | |
| 653 | 0 | |a германий | |
| 653 | 0 | |a карбид кремния | |
| 653 | 0 | |a арсенид галлия | |
| 653 | 0 | |a фосфид индия | |
| 653 | 0 | |a нитрид алюминия | |
| 653 | 0 | |a рост кристалла | |
| 653 | 0 | |a легирование | |
| 653 | 0 | |a метод Чохральского | |
| 653 | 0 | |a примесь | |
| 653 | 0 | |a расплав | |
| 653 | 0 | |a зонная плавка | |
| 653 | 0 | |a эпитаксия | |
| 653 | 0 | |a подложка | |
| 653 | 0 | |a зародышеобразование | |
| 653 | 0 | |a эпитаксиальный рост | |
| 653 | 0 | |a кристаллография | |
| 653 | 0 | |a эпитаксиальная система | |
| 653 | 0 | |a осаждение из газовой фазы | |
| 653 | 0 | |a эпитаксия в вакууме | |
| 653 | 0 | |a виды эпитаксии | |
| 100 | 1 | |a Александрова О. А. | |
| 700 | 1 | |a Лебедев А. О. | |
| 700 | 1 | |a Мараева Е. В. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/356039 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/356039.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/356039.jpg | ||