Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме учебно-методическое пособие для вузов Ч. 2 Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме : учебно-методическое пособие для вузов

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 3-го курса дневного отделения физического факультета, обучающихся по программе подготовки бакалавров....

Полное описание

Сохранить в:

Библиографические подробности
Формат:	Книга
Язык:	Russian
Опубликовано:	Воронеж ВГУ 2014
Online-ссылка:	https://e.lanbook.com/book/357419 https://e.lanbook.com/img/cover/book/357419.jpg
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!


LEADER	01786nam0a2200229 i 4500
001	357419
003	RuSpLAN
005	20240216150947.0
008	240216s2014 ru gs 000 0 rus
040			\|a RuSpLAN
041	0		\|a rus
044			\|a ru
245	1		\|a Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме \|b учебно-методическое пособие для вузов \|n Ч. 2 \|p Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме : учебно-методическое пособие для вузов
260			\|a Воронеж \|b ВГУ \|c 2014
300			\|a 22 с.
504			\|a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань
520	8		\|a Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 3-го курса дневного отделения физического факультета, обучающихся по программе подготовки бакалавров.
521	8		\|a Книга из коллекции ВГУ - Инженерно-технические науки
521	8		\|a СЭБ
856	4		\|u https://e.lanbook.com/book/357419
856	4	8	\|u https://e.lanbook.com/img/cover/book/357419.jpg
953			\|a https://e.lanbook.com/img/cover/book/357419.jpg

Схожие документы