Моделирование микроэлектронных процессов и приборов на ПК методические указания к выполнению лабораторных и практических работ по дисциплине «информационные технологии в электронике» для студентов направления 11.03.04 «электроника и наноэлектроника» всех форм обучения
В методических указаниях рассматриваются методы моделирования основных технологических процессов на полупроводниковом производстве. Изучаются диффузия, ионная имплантация, кольцевой испаритель. Рассматривается расчёт биполярного транзистора с использованием двухстадийной диффузии. Для каждой работы...
Сохранить в:
| Формат: | Книга |
|---|---|
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Воронеж
ВГТУ
2024
|
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/417398 https://e.lanbook.com/img/cover/book/417398.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03119nam0a2200385 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 417398 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20240628193437.0 | ||
| 008 | 240628s2024 ru gs 000 0 rus | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 621.38(07) | ||
| 084 | |a 32.85я7 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Моделирование микроэлектронных процессов и приборов на ПК |b методические указания к выполнению лабораторных и практических работ по дисциплине «информационные технологии в электронике» для студентов направления 11.03.04 «электроника и наноэлектроника» всех форм обучения |
| 260 | |a Воронеж |b ВГТУ |c 2024 | ||
| 300 | |a 57 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a В методических указаниях рассматриваются методы моделирования основных технологических процессов на полупроводниковом производстве. Изучаются диффузия, ионная имплантация, кольцевой испаритель. Рассматривается расчёт биполярного транзистора с использованием двухстадийной диффузии. Для каждой работы приведен небольшой блок теории и пошаговый расчёт параметров технологического процесса. В качестве вспомогательной информации рассматриваются методы программирования на C# элементов кода, используемых при построении модели в виде оконного приложения.Предназначены для студентов направления 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» всех профилей и форм обучения. | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции ВГТУ - Инженерно-технические науки | |
| 521 | 8 | |a СЭБ | |
| 653 | 0 | |a c# | |
| 653 | 0 | |a ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ | |
| 653 | 0 | |a МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ | |
| 653 | 0 | |a МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ | |
| 653 | 0 | |a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРОИЗВОДСТВА | |
| 653 | 0 | |a ПРАКТИЧЕСКИЕ РАБОТЫ | |
| 653 | 0 | |a МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОСОБИЯ | |
| 653 | 0 | |a МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ | |
| 653 | 0 | |a ВГТУ | |
| 653 | 0 | |a МАКРООБЪЕКТ | |
| 653 | 0 | |a СПРАВОЧНИК МАГНИТНОГО ДИСКА | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/417398 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/417398.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/417398.jpg | ||