Основы диагностики полупроводниковых структур учебное пособие
Учебное пособие включает в себя 8 лабораторных работ по курсу «Методы анализа и диагностики полупроводниковых структур». Пособие предназначено для студентов направлений «Физика», «Радиофизика», «Наноинженерия»....
में बचाया:
| मुख्य लेखक: | |
|---|---|
| अन्य लेखक: | , , , |
| स्वरूप: | Книга |
| भाषा: | Russian |
| प्रकाशित: |
Ульяновск
УлГУ
2018
|
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | https://e.lanbook.com/book/450368 https://e.lanbook.com/img/cover/book/450368.jpg |
| टैग : |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
| LEADER | 02794nam0a2200553 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 450368 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20250516154049.0 | ||
| 008 | 250516s2018 ru gs 000 0 rus | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 006(075.8) | ||
| 084 | |a 30.10я73 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Основы диагностики полупроводниковых структур |b учебное пособие |c Вострецов Д. Я.,Вострецова Л. Н.,Богданова Д. А.,Соловьев А. А.,Иго А. В. |
| 260 | |a Ульяновск |b УлГУ |c 2018 | ||
| 300 | |a 132 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a Учебное пособие включает в себя 8 лабораторных работ по курсу «Методы анализа и диагностики полупроводниковых структур». Пособие предназначено для студентов направлений «Физика», «Радиофизика», «Наноинженерия». | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции УлГУ - Физика | |
| 521 | 8 | |a СЭБ | |
| 653 | 0 | |a измерение параметров | |
| 653 | 0 | |a полупроводниковых приборов | |
| 653 | 0 | |a интегральных микросхем | |
| 653 | 0 | |a времени жизни | |
| 653 | 0 | |a неравновесных носителей | |
| 653 | 0 | |a тока | |
| 653 | 0 | |a заряда | |
| 653 | 0 | |a полупроводниках | |
| 653 | 0 | |a метод модуляции | |
| 653 | 0 | |a проводимости точечного контакта | |
| 653 | 0 | |a характеристик транзистора | |
| 653 | 0 | |a схеме с общей базой | |
| 653 | 0 | |a статических характеристик | |
| 653 | 0 | |a схеме с общим эмиттером | |
| 653 | 0 | |a диодов шоттки | |
| 653 | 0 | |a вольт-фарадных характеристик | |
| 653 | 0 | |a структур металл диэлектрик полупроводник | |
| 653 | 0 | |a электрофизических параметров | |
| 653 | 0 | |a механизмов протекания тока | |
| 653 | 0 | |a r-n-переход при высоком уровне инжекции | |
| 100 | 1 | |a Вострецов Д. Я. | |
| 700 | 1 | |a Вострецова Л. Н. | |
| 700 | 1 | |a Богданова Д. А. | |
| 700 | 1 | |a Соловьев А. А. | |
| 700 | 1 | |a Иго А. В. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/450368 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/450368.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/450368.jpg | ||