Структурное моделирование твердотельных СВЧ-устройств с учётом нелинейных и шумовых свойств учебное пособие
Рассматриваются основные нелинейные характеристики современных твердотельных СВЧ-элементов: полевого транзистора с высокой подвижностью электронов, биполярного транзистора с гетеро- переходом и диода с барьером Шоттки. Описываются методы определения параметров линейных и нелинейных характеристик пол...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Воронеж
ВГУ
2021
|
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://e.lanbook.com/book/455060 https://e.lanbook.com/img/cover/book/455060.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03704nam0a2200529 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 455060 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20250516154100.0 | ||
| 008 | 250516s2021 ru gs 000 0 rus | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 621.376:621.396 | ||
| 084 | |a 32.853 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Структурное моделирование твердотельных СВЧ-устройств с учётом нелинейных и шумовых свойств |b учебное пособие |c Аверина Л. И. |
| 260 | |a Воронеж |b ВГУ |c 2021 | ||
| 300 | |a 137 с. | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a Рассматриваются основные нелинейные характеристики современных твердотельных СВЧ-элементов: полевого транзистора с высокой подвижностью электронов, биполярного транзистора с гетеро- переходом и диода с барьером Шоттки. Описываются методы определения параметров линейных и нелинейных характеристик полупроводниковых СВЧ-элементов. Анализируются основные источники возникновения собственных шумов в данных элементах и методы их описания. Излагается методика расчёта коэффициента шума СВЧ-усилителей и параметрических устройств. Для студентов магистратуры направления «Радиофизика» физического факультета. | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции ВГУ - Инженерно-технические науки | |
| 521 | 8 | |a СЭБ | |
| 653 | 0 | |a нелинейные свойства | |
| 653 | 0 | |a твердотельные свч элементы | |
| 653 | 0 | |a гетероструктурный полевой транзистор | |
| 653 | 0 | |a пассивный режим | |
| 653 | 0 | |a активный режим | |
| 653 | 0 | |a биполярный транзистор | |
| 653 | 0 | |a гетеропереход | |
| 653 | 0 | |a диод шоттки | |
| 653 | 0 | |a прямой режим | |
| 653 | 0 | |a инверсный режим | |
| 653 | 0 | |a методы определения параметров | |
| 653 | 0 | |a модель гетероструктурного полевого транзистора | |
| 653 | 0 | |a модель биполярного транзистора | |
| 653 | 0 | |a диод с барьером шоттки | |
| 653 | 0 | |a источники собственных шумов | |
| 653 | 0 | |a шумовые свойства полупроводниковых свч элементов | |
| 653 | 0 | |a статистические характеристики шумовых процессов | |
| 653 | 0 | |a физическая природа собственных шумов | |
| 653 | 0 | |a параметрические устройства | |
| 653 | 0 | |a шумовая модель диода | |
| 653 | 0 | |a шумовая модель биполярного транзистора | |
| 653 | 0 | |a шумовая модель полевого транзистора | |
| 100 | 1 | |a Аверина Л. И. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/455060 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/455060.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/455060.jpg | ||