Пропуск в контексте

Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках

В учебном пособии рассмотрено теоретически влияние электрического поля на поляризацию и перенос собственных дефектов в ионных кристаллах, тепловой пробой ионных диэлектриков, влияние точечных дефектов на электронное равновесие в ионном кристалле, а также контактные явления в широкозонных полупроводн...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Ханефт А. В.
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Кемерово КемГУ 2014
Редакция:2 изд., доп., испр. и перераб.
Online-ссылка:http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=70000
https://e.lanbook.com/img/cover/book/70000.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 02011nam0a2200265 i 4500
001 70000
003 RuSpLAN
005 20221220173943.0
008 221220s2014 ru gs 000 0 rus
020 |a 978-5-8353-1636-6 
040 |a RuSpLAN 
041 0 |a rus 
044 |a ru 
080 |a 544.22.022.342 
245 0 0 |a Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках  |c Ханефт А. В. 
250 |a 2 изд., доп., испр. и перераб. 
260 |a Кемерово  |b КемГУ  |c 2014 
300 |a 148 с. 
504 |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань 
520 8 |a В учебном пособии рассмотрено теоретически влияние электрического поля на поляризацию и перенос собственных дефектов в ионных кристаллах, тепловой пробой ионных диэлектриков, влияние точечных дефектов на электронное равновесие в ионном кристалле, а также контактные явления в широкозонных полупроводниках. Предназначено магистрантам направления подготовки 011200 Физика. Оно также может быть полезным преподавателям вузов, аспирантам и научным работникам. Учебное пособие издано при поддержке гос. задания № 2014/ 64 (2014-2016 гг.) 
521 8 |a Книга из коллекции КемГУ - Физика 
100 1 |a Ханефт А. В. 
856 4 |u http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=70000 
856 4 8 |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/70000.jpg 
953 |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/70000.jpg