Пропуск в контексте

Магниторезистивные явления в структурах типа металл/полимер с широкой запрещенной зоной и фотомагнитные эффекты в иттрийжелезистых гранатах монография

Данная монография представляет собой результаты исследования фундаментальной проблемы физики магнитных явлений – влияния магнитного поля на электронный транспорт в различных средах. Изложены краткие теоретические основы спинтроники, представлены основные направления исследований перспективных матери...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Воробьева Н. В.
Другие авторы: Лачинов А. Н.
Формат: Книга
Язык:Russian
Опубликовано: Уфа БГПУ имени М. Акмуллы 2014
Online-ссылка:http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=72568
https://e.lanbook.com/img/cover/book/72568.jpg
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 02913nam0a2200277 i 4500
001 72568
003 RuSpLAN
005 20221220173946.0
008 221220s2014 ru gs 000 0 rus
020 |a 978-5-87978-898-3 
040 |a RuSpLAN 
041 0 |a rus 
044 |a ru 
080 |a 537.9 
084 |a 22.334  |2 rubbk 
245 0 0 |a Магниторезистивные явления в структурах типа металл/полимер с широкой запрещенной зоной и фотомагнитные эффекты в иттрийжелезистых гранатах  |b монография  |c Воробьева Н. В.,Лачинов А. Н. 
260 |a Уфа  |b БГПУ имени М. Акмуллы  |c 2014 
300 |a 176 с. 
504 |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань 
520 8 |a Данная монография представляет собой результаты исследования фундаментальной проблемы физики магнитных явлений – влияния магнитного поля на электронный транспорт в различных средах. Изложены краткие теоретические основы спинтроники, представлены основные направления исследований перспективных материалов и структур для магниторезистивных явлений в области наноэлектроники. Выделены два магистральных направления развития структур для спинтроники и магноники: монокристаллические материалы с дефектами и многослойные гетероструктуры с полимерным слоем. Для первого направления подробно рассмотрены иттрий-железистые гранаты (ИЖГ). Описаны проявления фотомагнитных свойств для ИЖГ с различным допированием. Предназначена для преподавателей и научных сотрудников, работающих в области физики конденсированного состояния, студентов старших курсов, изучающих спинтронику и наноэлектронику. 
521 8 |a Книга из коллекции БГПУ имени М. Акмуллы - Физика 
100 1 |a Воробьева Н. В. 
700 1 |a Лачинов А. Н. 
856 4 |u http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=72568 
856 4 8 |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/72568.jpg 
953 |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/72568.jpg