Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур учебное пособие для вузов
Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с испо...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Москва
НИЯУ МИФИ
2012
|
| Online-ссылка: | http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=75726 https://e.lanbook.com/img/cover/book/75726.jpg |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03272nam0a2200301 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 75726 | ||
| 003 | RuSpLAN | ||
| 005 | 20221220173950.0 | ||
| 008 | 221220s2012 ru gs 000 0 rus | ||
| 020 | |a 978-5-7262-1730-7 | ||
| 040 | |a RuSpLAN | ||
| 041 | 0 | |a rus | |
| 044 | |a ru | ||
| 080 | |a 621.382(075.8) | ||
| 084 | |a 32.844.1я7 |2 rubbk | ||
| 245 | 0 | 0 | |a Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур |b учебное пособие для вузов |c Воронов Ю. А.,Касков С. Ю.,Мочалкина О. Р. |
| 260 | |a Москва |b НИЯУ МИФИ |c 2012 | ||
| 300 | |a 80 с. | ||
| 500 | |a Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии» в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений | ||
| 504 | |a Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань | ||
| 520 | 8 | |a Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с использованием как «ручного» так и программного моделирования с помощью универсальной программы технологического моделирования T-CAD фирмы Synopsys. Представлены основные принципы работы с программой, включая списки команд, обеспечивающих моделирование технологии, электрофизических и электрических характеристик классического МДП-транзис-тора. Рассмотрены результаты моделирования наноразмерных МДП-транзисторов. Методика изложения материала позволяет студентам узнать теоретические вопросы и практически освоить основы программы T-CAD. Это первое учебное пособие по программе T-CAD на русском языке. Предназначено для студентов направлений подготовки по электронике. | |
| 521 | 8 | |a Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки | |
| 100 | 1 | |a Воронов Ю. А. | |
| 700 | 1 | |a Касков С. Ю. | |
| 700 | 1 | |a Мочалкина О. Р. | |
| 856 | 4 | |u http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=75726 | |
| 856 | 4 | 8 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/75726.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/75726.jpg | ||