Growth of heteroepitaxial aluminium nitride films on aluminium oxide substrates via PEALD method
Research was performed on possibility of growth of heteroepitaxial aluminum nitride films on (0001) sapphire substrates within 210 to 300 degrees Celsius temperature range via plasma-enhanced atomic layer deposition. Samples created were studied by ellipsometry, x-ray diffraction analysis and rockin...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Статья |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
2018
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85017584082&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&nlo=1&nlr=20&nls=afprfnm-t&affilName=north+caucasus+federal+university&sid=4a2a77c64cce8892f9521d5be1c7d9a7&sot=afnl&sdt=sisr&sl=53&s=%28AF-ID%28%22North+Caucasus+Federal+University%22+60070541%29%29&ref=%28Growth+of+heteroepitaxial+aluminium+nitride+films+on+aluminium+oxide+substrates+via+PEALD+method%29&relpos=0&citeCnt=0&searchTerm= https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/3039 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Search Result 1
Отримати повний текст
за авторством Tarala, V. A., Тарала, В. А., Altakhov, A. S., Алтахов, А. С., Ambartsumov, M. G., Амбарцумов, М. Г., Martens, V. Y., Мартенс, В. Я., Shevchenko, M. Y., Шевченко, М. Ю.
Опубліковано 2018
Отримати повний текстОпубліковано 2018
Отримати повний текст
Статья