বিষয়বস্তু এড়িয়ে যান
Growing oriented AlN films on sapphire substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition

Growing oriented AlN films on sapphire substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition

অন্যান্য সংস্করণ প্রদর্শন করুন (1)

The possibility of growing oriented AlN films on Al2O3 substrates at temperatures below 300°C by plasma-enhanced atomic layer deposition was examined. The samples were subjected to X-ray phase analysis and ellipsometry. It was demonstrated that the refraction index of films deposited with plasma exp...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Tarala, V. A., Тарала, В. А., Altakhov, A. S., Алтахов, А. С., Ambartsumov, M. G., Амбарцумов, М. Г., Martens, V. Y., Мартенс, В. Я.
বিন্যাস: Статья
ভাষা:English
প্রকাশিত: Maik Nauka-Interperiodica Publishing 2018
বিষয়গুলি:
Atomic layer deposition
Sapphire substrates
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85013339740&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&nlo=&nlr=&nls=&sid=08dccdde8616d2d2d58999ab85e59422&sot=aff&sdt=sisr&sl=174&s=AF-ID%28%22North+Caucasus+Federal+University%22+60070541%29+OR+AF-ID%28%22Stavropol+State+University%22+60070961%29+OR+AF-ID%28%22stavropolskij+Gosudarstvennyj+Tehniceskij+Universitet%22+60026323%29&ref=%28Growing+oriented+AlN+films+on+sapphire+substrates+by+plasma-enhanced+atomic+layer+deposition%29&relpos=0&citeCnt=2&searchTerm=
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/3072
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
সমস্ত সংস্করণ দেখান (2)

অনুরূপ উপাদানগুলি