Growing oriented AlN films on sapphire substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition
The possibility of growing oriented AlN films on Al2O3 substrates at temperatures below 300°C by plasma-enhanced atomic layer deposition was examined. The samples were subjected to X-ray phase analysis and ellipsometry. It was demonstrated that the refraction index of films deposited with plasma exp...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Статья |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Maik Nauka-Interperiodica Publishing
2018
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85013339740&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&nlo=&nlr=&nls=&sid=08dccdde8616d2d2d58999ab85e59422&sot=aff&sdt=sisr&sl=174&s=AF-ID%28%22North+Caucasus+Federal+University%22+60070541%29+OR+AF-ID%28%22Stavropol+State+University%22+60070961%29+OR+AF-ID%28%22stavropolskij+Gosudarstvennyj+Tehniceskij+Universitet%22+60026323%29&ref=%28Growing+oriented+AlN+films+on+sapphire+substrates+by+plasma-enhanced+atomic+layer+deposition%29&relpos=0&citeCnt=2&searchTerm= https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/3072 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Search Result 1
Отримати повний текст
за авторством Tarala, V. A., Тарала, В. А., Altakhov, A. S., Алтахов, А. С., Ambartsumov, M. G., Амбарцумов, М. Г., Martens, V. Y., Мартенс, В. Я.
Опубліковано 2018
Отримати повний текстОпубліковано 2018
Отримати повний текст
Статья