Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография

Сохранить в:

Библиографические подробности
Главный автор:	Чулкова Г.М
Формат:	Монография
Online-ссылка:	https://znanium.com/catalog/document?id=43540 https://znanium.com/cover/0759/759882.jpg
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография
Автор: Смирнов, А. В.

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates
Автор: Sysoev, I. A., и др.
Опубликовано: (2019)

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
Автор: Pashchenko, A. S., и др.
Опубликовано: (2022)

Энергетическая релаксация квазичастиц в сверхпроводниковых пленках нитрида титана и легированных бором пленках алмаза монография
Автор: Кардакова А. И.
Опубликовано: (2017)

Энергетическая релаксация квазичастиц в сверхпроводниковых пленках нитрида титана и легированных бором пленках алмаза монография

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
Автор: Pashchenko, A. S., и др.
Опубликовано: (2023)

Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO2–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters
Автор: Kravtsov, A. A., и др.
Опубликовано: (2018)

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
Автор: Devitsky, O. V., и др.
Опубликовано: (2023)

Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
Автор: Devitsky, O. V., и др.
Опубликовано: (2023)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
Автор: Тихов С. В.
Опубликовано: (2010)

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
Автор: Devitsky, O. V., и др.
Опубликовано: (2022)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
Автор: Дорохин М. В.
Опубликовано: (2013)

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells
Автор: Tarala, V. A., и др.
Опубликовано: (2018)

Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
Автор: Devitsky, O. V., и др.
Опубликовано: (2018)

Терагерцовые смесители на эффекте электронного разогрева в ультратонких пленках NbN и NbTiN монография

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Автор: Тяжлов В. С.
Опубликовано: (2019)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Автор: Тяжлов, В. С.

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
Автор: Крылов П.Н

Разработка технологии получения наноразмерного ZnO легированного Ga
Автор: Жалыбина, Е. Г.
Опубликовано: (2019)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Опубликовано: (2001)

Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
Автор: Devitsky, O. V., и др.
Опубликовано: (2024)

EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
Автор: Devitsky, O. V., и др.
Опубликовано: (2024)

Однофотонные детекторы видимого и инфракрасного диапазонов из тонких сверхпроводящих пленок NbN и α-MoSi монография
Автор: Корнеев А. А.
Опубликовано: (2017)

Однофотонные детекторы видимого и инфракрасного диапазонов из тонких сверхпроводящих пленок NbN и α-MoSi монография
Автор: Корнеев, А. А.

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands
Автор: Lunin, L. S., и др.
Опубликовано: (2022)

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
Автор: Devitsky, O. V., и др.
Опубликовано: (2023)

Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
Автор: Saytiev, A. B., и др.
Опубликовано: (2019)

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
Автор: Sysoev, I. A., и др.
Опубликовано: (2022)

Эффект однофотонного детектирования оптического и ИК излучений в тонких сверхпроводящих NBN плёнках монография
Автор: Окунев О. В.
Опубликовано: (2014)

Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
Автор: Devitsky, O. V., и др.
Опубликовано: (2022)

Эффективная аппаратная реализация генетического алгоритма Compact GA для поиска экстремума функций Статья
Автор: Борисевич А. В.

Широкополосные высокостабильные терагерцовые смесители на горячих электронах из тонких сверхпроводниковых пленок NbN монография

Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
Автор: Devitsky, O. V., и др.
Опубликовано: (2023)

Influence of indium concentration on the structure and surface morphology of InGaAs films obtained by liquid-phase epitaxy
Автор: Mitrofanov, D. V., и др.
Опубликовано: (2022)

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
Автор: Pashchenko, A. S., и др.
Опубликовано: (2024)

Photoluminescence of CaGa2O4 activated with rare earth ions Yb3+ and Er3+
Автор: Mar’in, A. P., и др.
Опубликовано: (2022)

Универсальные детекторы. Особенности эксплуатации Учебно-методическое пособие
Автор: Логутов В. И.
Опубликовано: (2017)

Газоразрядные детекторы элементарных частиц учебное пособие для вузов
Автор: Григорьев В. А.
Опубликовано: (2012)

Быстродействующий однофотонный детектор на основе тонкой сверхпроводниковой пленки NbN монография