Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Автор:	Чулкова Г.М
Формат:	Монография
Онлайн доступ:	https://znanium.com/catalog/document?id=43540 https://znanium.com/cover/0759/759882.jpg
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Схожі ресурси

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография
за авторством: Смирнов, А. В.

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates
за авторством: Sysoev, I. A., та інші
Опубліковано: (2019)

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
за авторством: Pashchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2022)

Энергетическая релаксация квазичастиц в сверхпроводниковых пленках нитрида титана и легированных бором пленках алмаза монография
за авторством: Кардакова А. И.
Опубліковано: (2017)

Энергетическая релаксация квазичастиц в сверхпроводниковых пленках нитрида титана и легированных бором пленках алмаза монография

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
за авторством: Pashchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2023)

Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO2–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters
за авторством: Kravtsov, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
за авторством: Тихов С. В.
Опубліковано: (2010)

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2022)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
за авторством: Дорохин М. В.
Опубліковано: (2013)

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Терагерцовые смесители на эффекте электронного разогрева в ультратонких пленках NbN и NbTiN монография

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
за авторством: Тяжлов В. С.
Опубліковано: (2019)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
за авторством: Тяжлов, В. С.

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
за авторством: Крылов П.Н

Разработка технологии получения наноразмерного ZnO легированного Ga
за авторством: Жалыбина, Е. Г.
Опубліковано: (2019)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Опубліковано: (2001)

Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2024)

EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Однофотонные детекторы видимого и инфракрасного диапазонов из тонких сверхпроводящих пленок NbN и α-MoSi монография
за авторством: Корнеев А. А.
Опубліковано: (2017)

Однофотонные детекторы видимого и инфракрасного диапазонов из тонких сверхпроводящих пленок NbN и α-MoSi монография
за авторством: Корнеев, А. А.

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands
за авторством: Lunin, L. S., та інші
Опубліковано: (2022)

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
за авторством: Saytiev, A. B., та інші
Опубліковано: (2019)

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
за авторством: Sysoev, I. A., та інші
Опубліковано: (2022)

Эффект однофотонного детектирования оптического и ИК излучений в тонких сверхпроводящих NBN плёнках монография
за авторством: Окунев О. В.
Опубліковано: (2014)

Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2022)

Эффективная аппаратная реализация генетического алгоритма Compact GA для поиска экстремума функций Статья
за авторством: Борисевич А. В.

Широкополосные высокостабильные терагерцовые смесители на горячих электронах из тонких сверхпроводниковых пленок NbN монография

Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of indium concentration on the structure and surface morphology of InGaAs films obtained by liquid-phase epitaxy
за авторством: Mitrofanov, D. V., та інші
Опубліковано: (2022)

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
за авторством: Pashchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Photoluminescence of CaGa2O4 activated with rare earth ions Yb3+ and Er3+
за авторством: Mar’in, A. P., та інші
Опубліковано: (2022)

Универсальные детекторы. Особенности эксплуатации Учебно-методическое пособие
за авторством: Логутов В. И.
Опубліковано: (2017)

Газоразрядные детекторы элементарных частиц учебное пособие для вузов
за авторством: Григорьев В. А.
Опубліковано: (2012)

Быстродействующий однофотонный детектор на основе тонкой сверхпроводниковой пленки NbN монография