Пропуск в контексте

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития....

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Главные авторы: Киреев В. Ю., Столяров А. А.
פורמט: ספר
יצא לאור: НБ СевКавГТУ
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!