Пропуск в контексте

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития....

Fuld beskrivelse

Сохранить в:
Bibliografiske detaljer
Главные авторы: Киреев В. Ю., Столяров А. А.
Format: Bog
Udgivet: НБ СевКавГТУ
Tags: Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
Beskrivelse
Summary:Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития.