Пропуск в контексте

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития....

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: Киреев В. Ю., Столяров А. А.
Формат: Книга
Опубликовано: НБ СевКавГТУ
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
Описание
Краткое описание:Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития.