Пропуск в контексте

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития....

Popoln opis

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Главные авторы: Киреев В. Ю., Столяров А. А.
Format: Knjiga
Izdano: НБ СевКавГТУ
Oznake: Označite
Brez oznak, prvi označite!
Opis
Izvleček:Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития.