Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
Приведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития....
Збережено в:
Автори: | Киреев В. Ю., Столяров А. А. |
---|---|
Формат: | Книга |
Опубліковано: |
НБ СевКавГТУ
|
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
-
Химическое осаждение из растворов
за авторством: Вассерман И. М. -
Рост алмаза и графита из газовой фазы
за авторством: Дерягин Б. В., та інші -
Получение покрытий. Методы физического и химического осаждения из газовой фазы учебное пособие
за авторством: Чернышова О. В.
Опубліковано: (2023) -
Получение и исследование свойств пластин поликристаллического алмаза, полученных методом химического осаждения из газовой фазы
за авторством: Алтахов, А. С.
Опубліковано: (2018) -
Получение и исследование свойств пластин поликристаллического алмаза, полученных методом химического осаждения из газовой фазы
за авторством: Алтахов, А. С.
Опубліковано: (2018)