Пропуск в контексте

Оборудование для производства наногетероструктурных солнечных элементов лабораторный практикум

В лабораторном практикуме рассматриваются методики характеризации каскадных фотоэлектрических преобразователей энергии (солнечных элементов) на основе материалов АIIIBV/Ge, позволяющие учитывать их особенности и нашедшие применение при разработке, отладке технологии и непосредственно при производств...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 04841nam0a2200409 4500
001 RU/IPR SMART/137543
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/137543.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 2227-8397 
205 |a Оборудование для производства наногетероструктурных солнечных элементов  |b 2026-04-19 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 19.04.2026 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2023 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Оборудование для производства наногетероструктурных солнечных элементов  |e лабораторный практикум  |f А. А. Лебедев, М. В. Рябцева, И. В. Бадурин [и др.] 
701 1 |a Лебедев,   |b А. А.  |4 070 
701 1 |a Рябцева,   |b М. В.  |4 070 
701 1 |a Бадурин,   |b И. В.  |4 070 
701 1 |a Чуянова,   |b Е. С.  |4 070 
701 1 |a Логинова,   |b Е. С.  |4 070 
701 1 |a Генали,   |b М. А  |4 070 
701 1 |a Вагапова,   |b Н. Т.  |4 070 
330 |a В лабораторном практикуме рассматриваются методики характеризации каскадных фотоэлектрических преобразователей энергии (солнечных элементов) на основе материалов АIIIBV/Ge, позволяющие учитывать их особенности и нашедшие применение при разработке, отладке технологии и непосредственно при производстве таких приборов для использования их в составе солнечных батарей космических аппаратов. Практикум включает три раздела, в которых представлены методики характеризации фотоэлектрических преобразователей и их структурных частей по электрическим, оптическим параметрам, а также методы выявления технологических дефектов. Теоретическое введение, предшествующее каждой из практических частей практикума, позволяет получить минимально необходимые знания как по фундаментальным вопросам физики полупроводников, источников оптического излучения, так и по прикладным вопросам работы полупроводниковых приборов и технологическим аспектам их создания и др. В практической части рассмотрены методики характеризации фотоэлектрических преобразователей с помощью импульсного имитатора внеатмосферного солнечного излучения, установки измерения внешнего кантового выхода фотоотклика, установки измерения электролюминесценции, эллипсометра, спектрофотометра, оптического микроскопа. Методики характеризации эпитаксиальных слоев и композиций из них рассмотрены в первой части практикума (№ 3504). Предназначен для обучающихся в магистратуре по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» (трек «Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы»). 
210 |a Москва  |c Издательский Дом МИСиС  |d 2023 
610 1 |a фотоэлектрические преобразователи 
610 1 |a технологические дефекты 
610 1 |a оптическая микроскопия 
675 |a 621.38 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 166 с.