Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники учебно-методическое пособие
В данном пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировани...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03593nam0a2200385 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/98204 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/98204.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 2227-8397 | ||
| 205 | |a Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники |b 2025-12-16 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 16.12.2025 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2005 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники |e учебно-методическое пособие |f В. П. Сушков, Г. Д. Кузнецов, О. И. Рабинович | |
| 700 | 1 | |a Сушков, |b В. П. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Кузнецов, |b Г. Д. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Рабинович, |b О. И. |4 070 | |
| 330 | |a В данном пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов о материалах и приборах на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов 3-й группы и их твердых растворах. Рассматривается пример моделирования диода с p-n переходом на основе гетероструктур AlGaAs. В приложении приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. | ||
| 210 | |a Москва |c Издательский Дом МИСиС |d 2005 | ||
| 610 | 1 | |a микроэлектроника | |
| 610 | 1 | |a полупроводник | |
| 610 | 1 | |a интегральная схема | |
| 610 | 1 | |a программа | |
| 610 | 1 | |a компьютерная модель | |
| 675 | |a 62 | ||
| 686 | |a 32.85 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 105 с. | ||