Пропуск в контексте

Основы технологии электронной компонентной базы практикум

Содержит описание трех практических занятий, в которых изучаются такие процессы создания приборных структур наноэлектроники, как термическое окисление, диффузия и ионная имплантация. Ставит перед собой задачи объяснить физическую сущность используемых в микро- и наноэлектронике технологических проце...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Астахов, В. П. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 03325nam0a2200397 4500
001 RU/IPR SMART/98215
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/98215.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-87623-964-8 
205 |a Основы технологии электронной компонентной базы  |b 2025-12-16 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 16.12.2025 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2016 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Основы технологии электронной компонентной базы  |e практикум  |f В. П. Астахов, С. А. Леготин, К. А. Кузьмина 
700 1 |a Астахов,   |b В. П.  |4 070 
701 1 |a Леготин,   |b С. А.  |4 070 
701 1 |a Кузьмина,   |b К. А.  |4 070 
330 |a Содержит описание трех практических занятий, в которых изучаются такие процессы создания приборных структур наноэлектроники, как термическое окисление, диффузия и ионная имплантация. Ставит перед собой задачи объяснить физическую сущность используемых в микро- и наноэлектронике технологических процессов, научить комплексному научному подходу к выбору методов и процессов формирования электронной компонентной базы, а также освоить методики расчета параметров технологических процессов. Результатом обучения должно быть приобретение компетенций по основным базовым процессам технологии для применения их в научных исследованиях, разработке и производстве изделий микро- и наноэлектроники. Практикум является составной частью курса «Основы технологии электронной компонентной базы» для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника». 
210 |a Москва  |c Издательский Дом МИСиС  |d 2016 
610 1 |a наноэлектроника 
610 1 |a диффузия 
610 1 |a ионная имплантация 
610 1 |a технологический процесс 
610 1 |a компонентная база 
610 1 |a микроэлектроника 
675 |a 62 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 53 с.