EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
A theoretical study of the effect of bismuth concentration on the structural and electronic properties of the GaAs1-yBiy solid solution is presented using the density functional theory in the VASP 5.4.4 software package. The results of the study showed that the fundamental band gap GaAs1-yBiy increa...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Język: | Russian |
| Wydane: |
2024
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/27119 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|